800nm APD
Funktioner
- Forside belyst flad chip
- Højhastighedsrespons
- Høj APD-forstærkning
- Lav krydskapacitans
- Lav støj
Ansøgninger
- Laser rækkevidde
- Laser radar
- Laser advarsel
Fotoelektrisk parameter(@Ta=22±3℃）
| Vare # | Pakkekategori | Diameter af lysfølsom overflade (mm) | Spektralt responsområde (nm) |
Spidsreaktionsbølgelængde | Responsivitet λ=800 nm φe=1μW M=100 (A/W) | Responstid λ=800 nm RL=50Ω (ns) | Mørk strøm M=100 (nA) | Temperaturkoefficient Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| Total kapacitans M=100 f = 1 MHz (pF)
| Nedbrudsspænding IR=10μA (V) | ||
| Typ. | Maks. | Min | Maks | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TIL-46 | 0,23 |
400-1100
|
800 |
55
|
0,3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TIL-46 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
